【摘 要】
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采以ZrOCl4为前驱体,利用Sol-Gel技术,控制不同的H2O2/Zr摩尔比值ε,在ZrH1.8基体表面制备氧化锆薄膜作为阻氢膜层.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、真空脱氢试验等方法对膜层的组成结构及阻氢性能进行表征.结果表明,薄膜厚度随着ε增加呈现先增大后减小的趋势,当ε在4～6时,氧化锆薄膜可以连续均匀的覆盖在氢化锆表面.且ε对膜层物相组成无显著影响,膜层
【机 构】
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内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特010051
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采以ZrOCl4为前驱体,利用Sol-Gel技术,控制不同的H2O2/Zr摩尔比值ε,在ZrH1.8基体表面制备氧化锆薄膜作为阻氢膜层.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、真空脱氢试验等方法对膜层的组成结构及阻氢性能进行表征.结果表明,薄膜厚度随着ε增加呈现先增大后减小的趋势,当ε在4～6时,氧化锆薄膜可以连续均匀的覆盖在氢化锆表面.且ε对膜层物相组成无显著影响,膜层主要以单斜相氧化锆和四方相氧化锆组成.
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