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氮化物是具有广泛工业用途的重要的人工合成材料.其中Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN是性能优异的宽带隙(室温带隙3.4eV)半导体材料,是制作蓝、绿光发光二极管和激光二极管的理想材料.本文主要就一种通过三聚氰胺与氧化物反应制备氮化物的方法进行了论述.
一种通过三聚氰胺与氧化物反应制备氮化物的方法
【摘 要】
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氮化物是具有广泛工业用途的重要的人工合成材料.其中Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN是性能优异的宽带隙(室温带隙3.4eV)半导体材料,是制作蓝、绿光发光二极管和激光二极管的理想材料.本文
【机 构】
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浙江理工大学物理系,杭州,310018北京凝凝态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080
【出 处】
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第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
【发表日期】
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2006年10期
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