【摘 要】
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<正>第三代半导体材料是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等带隙宽度明显大于硅(Si)和砷化镓(GaAs)的宽禁带半导体材料,是继20世纪五十年代发展起来的以锗(Ge)、硅元素半导体为代
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<正>第三代半导体材料是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等带隙宽度明显大于硅(Si)和砷化镓(GaAs)的宽禁带半导体材料,是继20世纪五十年代发展起来的以锗(Ge)、硅元素半导体为代表的第一代半导体材料和之后发展起来的以砷化镓、磷化铟(InP)化合物半导体为代表的第二代半导体材料之后兴起的新型半导体材料。
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