【摘 要】
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随着工艺尺寸的不断减小,常压MOS管较低的击穿电压成为一次性可编程(OTP)存储器编程设计中的主要制约因素.文中提出了一种OTP存储器的编程机制,由外部提供编程高压,系统中两
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
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随着工艺尺寸的不断减小,常压MOS管较低的击穿电压成为一次性可编程(OTP)存储器编程设计中的主要制约因素.文中提出了一种OTP存储器的编程机制,由外部提供编程高压,系统中两级电荷泵电路利用高压NMOS器件承受内部节点的峰值电压,不仅避免了高压对器件的击穿破坏,同时还提高了高压的扇出能力.仿真结果表明,在3.3V电源电压下,该编程机制实现了只读存储器的7V编程高压无损失地传递到编程单元,并且编程节点电压的纹波很小,不会产生误编程操作.
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