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钪Sc氢化物具有极低的离解平衡压,在高温储氢方面具有极为明显的优势。为了更好地指导后期吸氘实验的进行,有必要详细地研究镀膜过程及工艺参数对Sc膜的影响。在众多的镀膜方法中,电子束沉积法因对衬底无损伤、沉积速率快且成本低而备受青睐。本文采用电子束沉积方法在沉积速率为50±2.5(A)/s时,在粗糙Mo、光滑Mo(RMS=0.836nm)及单晶Si(111),Si(110)上沉积了Sc膜,并采用XRD、SEM对其进行了分析。各条件下Sc膜的平均厚度为2μm。