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本文采用Langmuir探针对不同氢气流量下溅射系统中(Ar&H)-Si系等离子体进行了诊断，分析了离子密度、离子流通量、等离子体悬浮电位、电子密度、电子温度等参量的变化规律。结果表明，在同一个空间点上离子流通量随靶电流和氢分压的增大而增大，相对应的离子密度也会增加。电子密度随氢分压的增大降低，电子温度在改变靶电流和氢分压时都会发生波动式的变化。氢分压增大时，非品硅薄膜的沉积速率会先增大后减小。