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本文主要借助于传统的PECVD 技术实现了功能层n 型SiOx 材料的制备.并且通过O 含量的有效控制,获得了折射率可调的系列n 型SiOx 材料.为提高电池的效率,我们将设计制备的功能层SiOx 材料应用于传统的非晶硅薄膜太阳电池中,I-V 和QE 测试结果表明：该层的引入不仅可以起到传统n 层材料的电学作用,而且最为重要的是可有效提高电池的光利用.基于该功能层材料制备的电池效率较传统的n 层材料提高了近10％.由于该功能层材料是基于生产线上成熟的PECVD 技术,因此该研究成果对于产业化的硅基薄膜太阳电池具有重要的意义.