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文章提出了一种适合于PDP行驱动芯片用的高压SOI NLDMOS器件结构，分析了SOI LDMOS的击穿电压与SOI层厚度、埋氧层厚度的关系，并对器件饱和电流大小和开态耐压进行了优化。经过TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真后，在0.8μm BOX层、10μm SOI层材料上设计得到了关态耐压252V、开态饱和电流大于7.10-5A/μm的SOI NLDMOS，完全满足PDP驱动行芯片的应用需求。基于本论文成果成功研发了的国内首颗PDP高压SOI行驱动芯片。