具有埋氧层界面电荷的SOI高压器件新结构纵向击穿模型

来源 :中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a894918572317531

【摘要】

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　　本文通过求解Poisson方程,建立了具有Si/SiO2界面电荷的SOI高压器件新结构纵向耐压模型,该模型表明,在硅和埋氧层界面上引入界面电荷可以克服常规SOI纵向的固有结构缺陷,

【作者】

：

郭宇锋张波李肇基方健

【机构】

：

电子科技大学IC设计中心,成都,610054

【出处】

：

中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

埋氧层界面电荷高压器件新结构耐压模型一致性验证优化设计试验结果结构缺陷击穿电压击穿电场仿真结果特性理想理论解析

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　　本文通过求解Poisson方程,建立了具有Si/SiO2界面电荷的SOI高压器件新结构纵向耐压模型,该模型表明,在硅和埋氧层界面上引入界面电荷可以克服常规SOI纵向的固有结构缺陷,充分发挥埋氧层的高击穿电场的特性,得到理想的纵向击穿电压.解析结果、仿真结果、试验结果的一致性验证了模型的正确性.本文的工作对优化设计具有埋氧层界面电荷的SOI新高压器件具有理论指导意义.

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