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本文介绍了一种新型的顶层钪钨阴极的制造工艺，并对其发射性能进行了测试。该阴极在1000℃b可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。
顶层钪钨阴极制造工艺和发射性能的研究
【摘 要】
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本文介绍了一种新型的顶层钪钨阴极的制造工艺，并对其发射性能进行了测试。该阴极在1000℃b可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。
【机 构】
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北京真空电子技术研究所 北京,100016
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
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2009年期
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