【摘 要】
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本文采用射频磁控共溅射法制备了Bi(1-x)Sbx合金薄膜,研究了薄膜的结构和电输运性能.结果发现,随着溅射靶材中Sb含量的增加,与纯Bi标准谱相比较,所制备的Bi-Sb薄膜样品的衍射
【机 构】
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中国科学院固体物理研究所,合肥,230031
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本文采用射频磁控共溅射法制备了Bi(1-x)Sbx合金薄膜,研究了薄膜的结构和电输运性能.结果发现,随着溅射靶材中Sb含量的增加,与纯Bi标准谱相比较,所制备的Bi-Sb薄膜样品的衍射峰(012)逐渐向高角度方向移动,表明Bi与Sb已经合金化,形成了Bi(1-x)Sbx合金薄膜,且薄膜中Sb的含量逐渐增加.随着温度的降低,样品的电阻率逐渐升高,呈现出典型的半导体行为.塞贝克(Seebeck)系数随着温度的降低,先升高而后降低,最大值与Sb在Bi(1-x)Sbx合金膜中的含量有关,分析讨论了产生这些现象的原因.
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