【摘 要】
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采用Rayleigh曲势展开和退耦合近似方法，研究了在绝缘体中掺入半导体椭圆柱正方阵列的光学非线性增强。我们汁算了其三阶光学非线性电极化率χe与外电场频率ω的关系。结果表明，在|χe|-ω曲线上出现了增强峰，其峰强明显地依赖十椭圆的形状，当基体介电常数较大时，随着椭圆的纵横比的减少，峰强将增加近60倍。
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉 430072
【出 处】
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2006全国光电子与光电信息技术学术研讨会
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采用Rayleigh曲势展开和退耦合近似方法，研究了在绝缘体中掺入半导体椭圆柱正方阵列的光学非线性增强。我们汁算了其三阶光学非线性电极化率χe与外电场频率ω的关系。结果表明，在|χe|-ω曲线上出现了增强峰，其峰强明显地依赖十椭圆的形状，当基体介电常数较大时，随着椭圆的纵横比的减少，峰强将增加近60倍。
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