【摘 要】
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由于SiC纳米线优越的力学、热学及电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性,一维SiC纳米线在高温、高频、大功率和高密度集成电子器件
【机 构】
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北京工业大学固体微结构研究所,中国科学院山西煤炭化学研究所
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由于SiC纳米线优越的力学、热学及电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性,一维SiC纳米线在高温、高频、大功率和高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力;也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相,同时也是人们研究低维材料的物理、力学性能与尺寸效应的典型材料.
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