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该文用TCK—500磁控溅射台，溅射Al膜TiO[*v2*]膜，Ta[*v2*]O[*v5*]膜，与蒸发法相比较，结果发现其膜层折射率高，附着加强，淀积率恒定，便于控制厚度的优点。（本刊录）
用反应溅射技术制备光学薄膜
【摘 要】
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该文用TCK—500磁控溅射台，溅射Al膜TiO[*v2*]膜，Ta[*v2*]O[*v5*]膜，与蒸发法相比较，结果发现其膜层折射率高，附着加强，淀积率恒定，便于控制厚度的优点。（本刊录）
【出 处】
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中国光学学会85年光学薄膜学术讨论会
【发表日期】
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1985年期
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