论文部分内容阅读
取代反应法制备硼掺杂石墨烯
【机 构】
:
中国科学院物理研究所,北京市中关村南三街八号 100190
【出 处】
:
中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
:
2011年9期
其他文献
SrTiO3 (STO),and La1-xSrxMnO3 (LSMO) (x=0.17,0.33) thin films were epitaxially grown on (001),(110) and (100) NdGaO3 (NGO) substrates by pulsed laser deposition.Owing to relaxation of anisotropic misf
会议
本文采用金属辅助化学刻蚀法制备纳米图案化硅衬底,并且采用化学气相沉积法制备基于纳米图案化硅材料的氮化镓(GaN)复合体系,并对其应用进行基础性研究.
会议
大直径的碳纳米管有比较小的禁带宽度,可以用来实现双极型的场效应晶体管,并且对于大直径的碳纳米管,由于和基底之间的相互作用较弱,其可以实现很高的迁移率,我们在一根直径为4 nm 的碳纳米管上实现了18300 cm2/V·s 的空穴迁移率和8300 cm2/V·s 的电子迁移率.