直流反应磁控溅射制备高折射率TiO2薄膜的工艺参数研究

来源 :2013全国玻璃科学技术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ole90
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  用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上制备出高折射率TiO2薄膜。研究了溅射功率、基片温度以及氢气氧气流量比对薄膜的沉积速率以及折射率的影响。同时离线在氧气氛炉中对薄膜进行退火,分析热处理温度对于薄膜折射率的影响。结果表明溅射功率110W、基片温度150℃、氧氢流量比例15%时薄膜的沉积速率较高、折射率最大。随着热处理温度的上升,薄膜由非晶态向锐钛矿转变,同时折射率增大。
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