萘二酰亚胺(NDI)是一类典型的n-型有机半导体材料。最近,Gao及合作者发展了硫杂环稠合的萘二酰亚胺类n-型有机半导体材料(Fig.1,NDI-DTYM2),其溶液法成膜的有机场效应晶体管(OFET)器件,电子迁移率可达0.1~3.5 cm2V-1s-1,且器件具有良好的空气稳定性和操作稳定性[1]。然而,NDI-DTYM2系列n-型材料的最优性能的获得在很大程度上依赖其薄膜的高温退火(>150℃),这在一定程度上限制了其在柔性电子器件中的应用。为了寻求低温加工工艺的高性能n-型有机半导体材料,考虑到硒原子(相对于硫原子)具有更大的原子半径和可极化性,易于形成有利于载流子传输的分子间Se···Se作用,我们设计合成了新型硒杂环稠合的萘二酰亚胺类n-型有机半导体材料(Fig.1,DTYM-NDI-DSYM和NDI-DSYM2),其OFET器件的半导体薄膜无需热退火处理,电子迁移率可达1.0 cm2 V-1 s-1,开关比大于106。