【摘 要】
：
本文对强场作用下的分子体系的电子交换效应进行研究,分别分析静态和动态交换效应对基态氮分子最高占据分子轨道(HOMO)电离速率的影响.通过在分子强场近似模型(MO-SFA)的基础上考虑静态电子交换效应(Static Exchange,简写为S.E.)计算电离速率.由于MO-SFA理论的长度规范(LG)相比于速度规范(VG)能更好地描述N2的电离速率1,所以在添加静态电子交换项时选取长度规范的表示形式
【机 构】
：
国防科学与技术大学理学院物理系,长沙 410073
论文部分内容阅读
本文对强场作用下的分子体系的电子交换效应进行研究,分别分析静态和动态交换效应对基态氮分子最高占据分子轨道(HOMO)电离速率的影响.通过在分子强场近似模型(MO-SFA)的基础上考虑静态电子交换效应(Static Exchange,简写为S.E.)计算电离速率.由于MO-SFA理论的长度规范(LG)相比于速度规范(VG)能更好地描述N2的电离速率1,所以在添加静态电子交换项时选取长度规范的表示形式.除HOMO外,加入其余各轨道电子交换的贡献,修正后的电离速率明显大于无电子交换的结果(如图1所示),且随着θ(分子轴与激光场极化方向的夹角)的增加差距越来越小.
其他文献
利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察了不同生长参数对纳米线形貌的影响,并系统研究了衬底种类和处理条件、不同生长温度、不同气压以及反应气氛中各气体比例等条件下纳米线的形貌变化。为深入探索可应用于冷阴极、光探测等先进器件中大面积、高质量的GaN 纳米线生长提供了低成本、无污染的选择。
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)在蓝光波段已取得巨大成功,但其在绿、黄光等较长波段的发光效率仍然较低。由位错诱导产生的V 坑可显著提高GaN 基LED 的发光效率。关于V 坑的作用机理,前人提出了V 坑可以屏蔽位错的物理模型1,在一定程度上阐明了GaN 基LED 发光效率对位错密度不敏感的原因；但该模型仍遵循位错密度越低,发光效率越高的传统观点。
一维纳米材料由于其特殊而优异的性能得到了人们广泛的关注。近年来，基于一维纳米材料的各种器件都表现出了卓越的性能，比如光电探测，场效应晶体管，太阳能电池等。当构筑这些器件的时候，热循环是不可避免的，因此我们必须充分考虑器件的热稳定性以保障器件的正常工作。
以石墨烯为代表的二维碳基纳米结构表现出独特的电学性能，展示了巨大的应用前景，已成为目前研究的热点。但是石墨烯呈现出零带隙的电子结构，限制了其在纳电子学及光电子学中的应用。因而，利用各种手段对其能带结构进行改造、特别是能隙的打开，是一项重要的研究内容。
稀土锰氧化合物LnMnO3(Ln=La,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)由于潜在着许多应用而被人们广泛研究。例如LaxSr1-xMnO3-δ 被作为固体燃料电池的阴极进行研究；而Ln1-xMxMnO3-δ(M=Ca,Sr,Ba,Pb)则具有庞磁阻效应；而TbMnO3 则是一个多铁材料。
在超导块材的磁化过程中，外加匀强磁场的强度和磁场的升降速率、脉冲磁场的峰值大小和磁场脉宽、以及超导体的初始温度等都会直接影响对超导体的磁化效果。特别是对厘米量级的大尺寸REBCO(RE=Y、Sm、Gd、Nd 等)超导块材而言，如何优化其磁化过程，并提高其捕获磁场，对实际应用具有重要意义。
我们详细的研究了MBE 生长的以GaAs 为衬底的超薄Fe 薄膜(厚度从0.53 nm-17 nm)的结构和磁输运性能.通过线性拟合饱和磁化强度和薄膜厚度的关系，我们得出Fe 的死层厚度为0.7 nm(5 ML).在输运的研究中，我们发现了在1.25 nm 处发生了金属-半导体的转变，并且随着厚度逐渐减小，半导体性质越来越明显(图1g).
数值研究了理想壁/电阻壁、漂移动理学效应以及环向等离子体旋转对有强负三角形变(NTR)的等离子体位形的托卡马克中理想外扭曲模式稳定性的影响。同时对有相似平衡的正三角形变(PTR)等离子体位形进行了对比研究。研究发现,理想壁对NTR等离子体位形下的外扭曲模的致稳作用不明显是由于和PTR位形下的扭曲模本征结构相比,NTR中更多的表现出“内扭曲模”而非“气球模”的本征结构。
光的自旋霍尔效应这一新奇物理现象由于其轨道的自旋锁定效应近年来备受人们关注，相关的理论工作已经揭示了这一奇特效应本质起源于倐逝场的横向自旋特性1.本项工作中，我们实验上基于加载集总元件的二维微带传输线，构造了电单负/磁单负波导.进一步验证了由两种拓扑不等价的单负特异材料所形成的特殊波导结构中实现的光自旋霍尔效应.我们发现一个线性极化的激励源将在两种单负特异材料的界面等价的耦合出两个相反传播方向的导