用计算机解重叠技术分析不同热处理后的LiF:Mg,Cu,P热释光探测器的发光曲线

来源 :第八届全国核电子学与核探测技术学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:winterzeng
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对于LiF:Mg,Cu,P TL材料,当辐射前退火温度高于245℃时其发光曲线会发生显著的变化。该工作研究了不同热处理后的热释光发光曲线的变化。实验结果表明,随着退火温度的提高,发光峰的位置T〈,MAX〉向高温方向移动。该文讨论了LiF:Mg,Cu,P TLD晶体材料中的热损伤对载流子陷阱的作用,从而解释了TL灵敏度随退火温度增加而降低的现象。
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