【摘 要】
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在感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)制备硬质类金刚石膜过程中采取CH4-O2和CH4-Ar两种不同的沉积气体体系,研究其对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响.分别对沉
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,北京,100080
【出 处】
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2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议
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在感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)制备硬质类金刚石膜过程中采取CH4-O2和CH4-Ar两种不同的沉积气体体系,研究其对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响.分别对沉积得到的类金刚石膜的结构成分和薄膜沉积速率等进行测试,并对薄膜的微观形貌和表面粗糙度作了表征和分析.分析结果表明氧气和氩气的掺入对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质有着不同的影响.
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