论文部分内容阅读
在大直径硅单晶生长中，直径控制是十分关键的，它直接影响单晶的成品率。影响直径控制好坏的因素很多，而保护气氛的种类、流量和压力等是影响直径控制的重要因素。采用浙江大学的专利工艺－－－减压氮保护硅单晶生长，不但对硅片的机械性能、电学性能有极大的提高，而且对单晶的直径控制亦有利。该文正是研究了这方面的机理。