【摘 要】
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在低温多晶硅(LTPS)制程中，栅极大板CD 均一性以及对下层SiNx 的选择比尤为重要，直接影响TFT 大板TEG 的大板均一性，尤其是Self-Align 制程。本文从改善Dryrecipe 改善出发，改善大板CD 均一性，同时提升对下层SiNx 的选择比，最终达到改善大板TEG 均一性的目的，对于Dry recipe 首先Split 各个参数寻找显著影响因子，其中O2 Flow是提升选择比的
【机 构】
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深圳市华星光电技术有限公司,广东深圳,518132
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在低温多晶硅(LTPS)制程中，栅极大板CD 均一性以及对下层SiNx 的选择比尤为重要，直接影响TFT 大板TEG 的大板均一性，尤其是Self-Align 制程。本文从改善Dryrecipe 改善出发，改善大板CD 均一性，同时提升对下层SiNx 的选择比，最终达到改善大板TEG 均一性的目的，对于Dry recipe 首先Split 各个参数寻找显著影响因子，其中O2 Flow是提升选择比的主要影响因素，而SF6 Flow 是影响大板CD 均一性的显著因子，本文针主要探讨了寻找先要影响因子的过程以及优化过程。最终以改善大板TEG 为主要目的，大板TEG 均一性改善后更加有利于做AMOLED 的背板。
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