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Photoluminescence and Photoacoustic Characterization of InAsxSb1-x Ternary Semiconductong Alloys Gro
【作 者】
:
【机 构】
:
physics Dept.Cinvestav-IPN.Apartado Postal 14-740.Mexico DF 07000.Mexico
【出 处】
:
第十届中红外光电子材料与器件国际会议
【发表日期】
:
2010年4期
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