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掺杂半导体中的载流子吸收在THz波段非常明显，其相互作用研究是研制THz通信中的关键器件之一—THz调制器的基础，开展相关领域的研究具有重要的学术价值和应用价值，因而逐渐受到重视。采用氟化氪(KrF)脉冲准分子激光烧蚀沉积(PLD)技术，制备了Ni掺杂BaTiO3/SrTiO3多层膜。基于辐射频率为3.09THz、脉冲功率为10mW量级的THzQCL光源研究了太赫兹波在Ni掺杂BaTiO3/SrTiO3多层膜中的传输，分析了相互作用机理。