高度有序的AIN纳米锥阵列的可控生长及其场发射性质

来源 :中国科协第四届优秀博士生学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:feixiang_16
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本文报道了表面尺寸、形貌与密度都可控的高度有序的氮化铝纳米锥的生长。XRD、HRTEM和SEAD结果表明AIN纳米锥为六方相单晶结构,并优先沿<001>方向生长。对AIN纳米锥生长机理进行了讨论。场发射检测结果为:700℃生长条件下的AIN纳米锥阵列开启电压为10.8 Vμm-1,阈值电压为13.6 Vμm-1;800℃条件下的产物开启电压与阈值电压分别为:12.2和15.2Vμm-1。该结果表明随着纳米锥顶部尺寸减小,其开启电压同样减小。
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