在蓝宝石衬底上反应溅射法制备CeO2薄膜

来源 :第九届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jmgxy

【摘要】

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实验用金属铈做为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石基片上制备C轴取向CeO2外延薄膜.实验结果表明在低温、低溅射功率条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;当升高温度和

【作者】

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雷跃刚;王霈文;李弢;古宏伟;张华;王萍;

【机构】

：

北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088

【出处】

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第九届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议

【发表日期】

：

2006年期

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实验用金属铈做为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石基片上制备C轴取向CeO2外延薄膜.实验结果表明在低温、低溅射功率条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;当升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱(002)取向增强;在过高温和过高溅射功率条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长.其中基片温度在680℃左右,溅射功率在80W左右,溅射气压在25Pa,氩氧比在30/2条件下能够制备得到高质量(002)取向CeO2缓冲层.所制备的CeO2薄膜具有优良的取向和平整的表面.

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