25Gb/s单片集成电吸收调制分布反馈激光器

来源 :第十届全国激光技术与光电子学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leiyang000

【摘要】

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　　采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP 多量子阱有源层,制备出带宽为25 Gb/s 的单片集成电吸收调制分布反馈激光器.集成器件激射波长为1549 nm,阈值电流18 mA,在100 mA

【作者】

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周代兵边静安欣王宝军张瑞康赵玲娟吉晨王圩

【机构】

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中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京100083

【出处】

：

第十届全国激光技术与光电子学学术会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

单片集成电吸收调制分布反馈激光器 InGaAsP 单模光纤耦合边模抑制比直流电流

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　　采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP 多量子阱有源层,制备出带宽为25 Gb/s 的单片集成电吸收调制分布反馈激光器.集成器件激射波长为1549 nm,阈值电流18 mA,在100 mA 直流电流下出光功率大于10 mW.器件工作在单模状态,边模抑制比大于40 dB.与单模光纤耦合后测得的静态消光比为23 dB.

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