【摘 要】
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由于在高性能光电子器件中的应用价值,对AlN/AlxGa1-xN多层材料的物性研究引起人们的极大兴趣.本文选取该多层材料的基本结构之一,纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN有限深量子阱,考虑
【出 处】
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第十八届全国凝聚态理论与统计物理学术会议
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由于在高性能光电子器件中的应用价值,对AlN/AlxGa1-xN多层材料的物性研究引起人们的极大兴趣.本文选取该多层材料的基本结构之一,纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN有限深量子阱,考虑界面晶格失配产生的内建电场作用,且计入导带弯曲的影响,利用有限差分法,求解薛定谔方程获得量子阱中电子的基态波函数.采用修正的无规元素等位移(MREI)模型计算AlxGa1-xN中体纵光学声子的频率,采用二次多项式拟合公式计算其体横光学声子频率,利用声子模式的判别条件求解各类光学声子频率的取值区间,进而获得其色散关系和声子势.对电子波函数和声子势耦合求解,采用雷-丁平衡方程,讨论室温附近,该体系中光学声子对电子迁移率的影响,着重考虑体横光学声子双模性的三元混晶效应.
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