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Optical properties of arsenic-doped MgZnO films on GaAs substrate by molecular beam epitaxy
【机 构】
:
Institute of science,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China;Key Labor
【出 处】
:
第六届国际氧化锌及相关材料研讨会
【发表日期】
:
2010年4期
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