【摘 要】
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研究了铌对(Ce,Nb)掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响.研究中发现在1350℃烧结条件下,掺入0.8mol﹪NbO的样品具有良好的综合电性能,显示出最低的压敏电压(V=7.22V/mm)
【机 构】
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新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室清华大学材料科学与工程系(北京)
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会电压敏专业第十届学术年会
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研究了铌对(Ce,Nb)掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响.研究中发现在1350℃烧结条件下,掺入0.8mol﹪Nb<,2>O<,5>的样品具有良好的综合电性能,显示出最低的压敏电压(V<,lmA>=7.22V/mm)、最高的非线性系数(α=5.76)以及较高的相对介电常数(ε<,γ>=8.6×10<4>)和室温下较低的介电损耗(tgδ=0.52),是一种具有较好潜力的新型电容-压敏陶瓷材料.样品电性能的变化主要是Nb<5+>对Ti<4+>的掺杂取代和该掺杂取代的饱和值,及其与在晶界及晶粒生成诸如Ce<,2>Ti<,2>(Si<,2>O<,7>)O<,4>等第二相的相互作用的结果.
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