树枝型[2]轮烷的合成和性质研究

来源 :全国第十七届大环化学暨第九届分子化学学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:P214909697
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近年来,轮烷的快速发展让人们对其设计策略和更复杂的轮烷体系有了更深的了解.1 自20世纪80年代中期以来,树枝状分子由于其高度分叉的拓扑结构而成为现代超分子化学领域最具挑战性的话题.2
其他文献
研究了一种钨钼复合二次硬化型超高强度钢在回火过程中逆转变奥氏体的析出与长大行为.结果表明实验钢在510℃回火保温5小时时拥有较好的力学性能,抗拉强度为2185MPa,屈服强度为1859 MPa,冲击功为35J.在保温5小时的回火过程中温度高于470℃逆转表奥氏体在马氏体板条间呈薄膜状逐渐析出,温度达到560℃以上时逆转变奥氏体逐渐长大为块状,温度在650℃时含量达到最高,之后发生二次淬火逆转表奥氏
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奥氏体不锈钢由于高温下具有较高的强度、耐蚀性和抗氧化性、低的中子辐照敏感性、以及良好的加工性能,因而最有望成为超临界水冷堆(SCWR)燃料包壳材料.典型奥氏体不锈钢候选材料主要有310S、HR3C和NF709等,含有较高的Cr和Ni含量,通常为25Cr-20Ni(wt.%),但是这类钢在高温650℃长期时效过程中会在晶界上析出大量粗大的Cr23C6,从而导致材料脆性急剧增加,且耐蚀性下降.为抑制粗
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由于模具材料的选择不当和性能不足而引起的模具失效将严重影响工业生产的连续性和生产效率,尤其是冷作模具的突然失效还可能引发安全事故.因此提高冷作模具钢的质量与性能具有重要意义.深冷处理技术是从普通冷处理(0~-100℃)的基础上发展起来的一门新技术,是在-196℃以下对材料进行处理的一种方法,是最新的材料强韧化处理工艺之一.Debdulal Das[1-3]等人通过扫描电镜观察到,淬火CrMoV钢在
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在Cu-Si化合物中,Cu3Si为最富硅相,由二元相图可知,从高温到室温Cu3Si有η、η′和η"三种形式,研究者对Cu3Si的晶体结构研究一直保持着高度关注.早在1978年,Solberg[1]在无位错的Si基体上沉积Cu,高温冷却过程中会出现分散总量很小,约10-4-10-5的析出相,根据这些析出相的电子衍射图,提出了Cu3Si相三种同质多形体的完整结构.其中η相是一种无序三方晶系,空间群为R
Cu-Co合金中存在亚稳的液态溶解度间隙[1,2]。如图1所示,当合金过冷到溶解度间隙(图中虚线)时便分解成富Cu和富Co的两个液相。对于富Co的合金成分而言,分解产生的富Cu相以液滴形式分布在富Co的液相中。这种特殊的混合组织有可能对随后的快速凝固产生显著的影响。曾有学者[3]采用光电二极管法对电磁悬浮(EML)深过冷处理的富Co成分中的枝晶生长速率进行过测量,但是没有观测到枝晶生长速率的任何异
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液面脉冲磁致振荡技术(简称SPMO)是将通有脉冲电流的感应线圈置于金属熔体的上部在金属熔体内部产生变化的电磁场,从而对金属熔体的流动和温度分布产生一定的影响。该项技术采用合理的安全电压和频率,通过优化线圈结构,使感应线圈仅作用于金属熔体表面或固液界面附近,从而保证了熔体自由表面的平稳。
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作为一种重要的难熔金属,锆具有良好的力学性能和耐腐蚀性能,在核反应堆,储氢材料和化学反应器中有广泛的应用。然而由于其高熔点特性(Tm=2128K),采用常规的方法无法获得其液态的热物理性质,而且难以开展深过冷熔体快速凝固规律的实验研究。本文采用静电悬浮无容器处理技术实现了难熔金属Zr的深过冷,测定了亚稳液态金属的热物理性质随温度的变化规律,并且对快速凝固过程进行了定量测定。静电悬浮采用静电场提供的
本文基于温度诱导液液结构转变的研究基础,从两方面探索了操控熔体状态对过共晶铝硅合金初晶硅的细化作用。研究表明,在熔体发生温度诱导液液结构转变(TI-LLST)之前,初晶硅十分粗大;在TI-LLST结束之前,即使大幅提高熔体处理温度,初晶硅晶粒并无明显改变;而在TI-LLST结束之上的温度进行熔体处理,初晶硅则获得显著细化。另一方面,以TI-LLST区间之上温度的高温熔体,与处于半固态温区的低温熔体
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海洋工程结构钢在钢材选用上必须满足海洋工程的特殊要求,具有各种特殊性能,尤其是低温韧性。为了减轻海洋工程结构的重量,同时又增加结构整体的安全性,采用材料的强度级别也越来越高,材料厚度也不断增加。这种高强度、大厚度材料对焊接技术提出了更高的要求。本文以E550钢为母材,分别采用高层间温度(250℃,2#)、中层间温度(130℃,1#)和低层间温度(80℃,3#)对母材进行焊接,研究不同层间温度对焊缝
氧化锌(ZnO)具有优异的光电性质,在液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等方面具有潜在的应用前景。同时ZnO在适当的制备条件及掺杂下还会表现出较好的低阻特征,因此可用作电极材料。生长在各种基底上的ZnO薄膜性质受到薄膜微观组织结构的显著影响,通常外延生长薄膜比多晶薄膜具有更佳的性质。然而,当基体(如Si)与ZnO薄膜具有较大晶格错配时,无法实现外延生长。针对这个难题,本工作提出了无理取向基体上Zn
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