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本文研究了TD-SCDMA/GGE多频段CMOS射频接收机前端。从TD-SCDMA/GGE系统要求和电路结构入手,分析了各电路模块的设计,包括低噪声放大器(LNA)、无源混频器、跨阻放大器(TIA)和本振驱动。本文的研究内容采用0.13-μm RFCMOS工艺进行了工程批流片生产,测试结果达到了预期,满足TD-SCDMA/GGE系统的要求。