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半导体技术的快速发展，电子线路元器件日趋低压化，担当保护电子线路安全、瞬间过压抑制的硅二极管的需求量与日俱增。本文提出一种保护电压范围低于10伏之高可靠低压保护硅稳压二极管的结构与制造工艺技术，该制造方法就是为了充分利用高掺杂浓度、浅扩散单边突变结之特点，在重掺杂P型硅单晶中扩散入n+型磷杂质，制造低反向击穿电压硅稳压二极管。