IGBT串联电路的仿真研究

来源 :第十八届电子信息技术学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jacky1313
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过仿真研究了影响IGBT串联动态不均压的因素.首先,IGBT自身参数不同会使串联IGBT承受电压不均衡.本文借助Saber软件中的IGBT1模型分别研究了IGBT栅-射极电容、集-栅极电容和关断电流拖尾时间不同所带来的影响;其次,外围电路参数不一致也会使串联IGBT承受电压不均衡,其中主要是栅极驱动电阻的不同和栅极驱动信号延时时间的不同.
其他文献