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金属Ｔａ薄膜作为电阻器件广泛应用在集成电路中，研究Ｔａ薄膜的高温力学影响对集成电路的制造和使用是很重要的，该文详细介绍了利用梁弯曲的方法测量金属薄膜内应力的原理和试验装置，以及利用此装置所得到金属Ｔａ薄膜高温应力响应的实验结果。利用磁控溅射方法分别在［１１１］和［１００］取向的硅单晶基体上沉积厚度不同的Ｔａ薄膜。利用梁弯曲的方法研究了薄膜在温度变化中所发生的弹性形变－屈服－范性形变－弹性形变－屈服－范性形变－薄膜破裂过程。该文还研究了薄膜在室温－６００℃－室温多次热循环中应力的变化规律。实验结果表明，薄膜和基体取向对Ｔａ薄膜的温度－应力形为有很大影响。该文还从理论上对实验结果进行了分析。