大电流场致发射冷阴极的研究

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场致发射电子器件同时具有真空器件和微电子器件的优点,体积小、电子运动速度快、工作频率高、工作温度范围大。它在平板显示和大功率微波器件中具有潜在的广泛应用。场发射现象的发现可以追溯到19世纪末,并逐步在高分辨电子显微镜、真空微电子等领域得到应用。到1968年,C.A.Spindt提出一种微尖结构阴极阵列,开辟了场发射显示研究与发展的新途径。场发射器件的核心是冷阴极,以往人们关注的冷阴极材料包括高温难熔金属(如钼,钨等),硅,碳素材料(如金刚石薄膜,无定形碳等)。
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