【摘 要】
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金刚石半导体由于具有优异的电学、光学、热学和化学性能,可用于制备高能、高频、高温电子器件或光电器件.而高性能n型金刚石的制备一直是制约金刚石半导体应用的瓶颈.高温高
【机 构】
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高压先进科研中心(长春)130012吉林长春;安徽工业大学材料学院243002安徽马鞍山安徽工业大学材料学院243002安徽马鞍山高压先进科研中心(长春)130012吉林长春
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金刚石半导体由于具有优异的电学、光学、热学和化学性能,可用于制备高能、高频、高温电子器件或光电器件.而高性能n型金刚石的制备一直是制约金刚石半导体应用的瓶颈.高温高压方法是解决n型掺杂金刚石半导体合成的途径之一.本文采用含磷有机物和石墨为反应原料,不使用催化剂在极端条件下(＞15GPa,1500℃)尝试进行了磷掺杂金刚石的合成工作,样品经水洗,并在浓硫酸和浓硝酸混合酸中煮30min以去除杂质.
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