【摘 要】
：
本文探讨了液相化学沉淀法制备纳米粒子的动力学原理.动力学分析证实了热力学粒度公式的正确性,明确指出它的适用条件,并能预测热力学所不能预测的搅拌、反应温度和反应时间对沉淀粒度的影响.并综合运用热力学和动力学的分析结果比较圆满地分析了两步沉淀法的工艺原理,并预测出使用同一种沉淀剂的两步沉淀法可以改善沉淀粒子的形貌;通过理论指导下的实验证明:两步沉淀法工艺通用性较强,在相同或相似的工艺参数下可制备出粒度
【机 构】
：
中国科学院固体物理研究所;江苏省净化工程技术研究中心(苏州) 中国科学院等离子物理研究所(合肥)
【出 处】
：
中国电子学会敏感技术分会电压敏专业第十届学术年会
论文部分内容阅读
本文探讨了液相化学沉淀法制备纳米粒子的动力学原理.动力学分析证实了热力学粒度公式的正确性,明确指出它的适用条件,并能预测热力学所不能预测的搅拌、反应温度和反应时间对沉淀粒度的影响.并综合运用热力学和动力学的分析结果比较圆满地分析了两步沉淀法的工艺原理,并预测出使用同一种沉淀剂的两步沉淀法可以改善沉淀粒子的形貌;通过理论指导下的实验证明:两步沉淀法工艺通用性较强,在相同或相似的工艺参数下可制备出粒度小、分布均匀的陶瓷粉体因此两步沉淀法的应用十分广泛.
其他文献
本文研究了金属氧化物CO2O3压敏陶瓷中晶粒生长和电学性能的影响.分析了CO2O3含量对ZnO半导体陶瓷各种性能的改善以及所产生缺陷类型.实验结果表明:随着CO2O3含量在0.6mol﹪-0.2mol﹪范围内的减少,ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小降低,工频耐受力提高,非线性系数增大,在一定程度上掩盖了ZnO晶粒本征缺陷对ZnO陶瓷电导率的影响,使半导体的电导率获得可控性.为获得产品优良的重复性和稳定
本文通过对烧端工艺中不同烧端温度以及保温时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器限制电压比的影响.结果表明:对于主成份为Ag/Pd/Pt的端电极浆料,随着烧端温度的升高以及保温时间的延长,产品的限制电压比将降低;当烧端温度在850℃,保温时间15min,产品的限制电压比最小(1.92);随着烧端温度的继续升高以及保温时间的再延长,产品的限制电压比又升高.
本文提出了谐波分次补偿的MOV(金属氧化物非线性电阻MetalOxygenVaristor)阻性电流测量方法,并采用准同步采样与离散傅立叶变换DFT相结合,实验结果证明,该方法可有效地消除电源中谐波的影响,减小电源频率波动造成的信号采样误差,测量出来的阻性电流与电压的峰值和过零点吻合较好,能准确测量MOV的阻性电流及功率损耗.
本文首先回顾了大陆、台湾压敏电阻器的发展史，然后介绍了大陆、台湾压敏电阻企业，最后就台湾压敏电阻的开发研究状况进行了阐述。
在防雷中,由于限压型SPD具有通流容量大,响应时间快,无续流等优良特点,在众多的防雷组件中制造量最大,应用面最广,制造优良的SPD,其中MOV的选用很关键.本文从表面参数、8/20us波形大电流冲击特性、交流耐受等三个方面逐一进行了介绍.
用NaCO作沉淀剂,控制反应pH值和温度,得到钴的碳酸盐沉淀,热分解为CoO粉料,并以其粉料制备ZnO压敏电阻.XRD分析沉淀组分,TG确定其热分解温度,最后对分解产物进行XRD分析和SEM观察,结果表明:制备得粉料为□- CoO,粉料颗粒呈类球形,大部分颗粒粒径小于1μm,用此粉料制备的ZnO压敏电阻其耐大电流冲击性能优于草酸盐热分解法.
研究了铌对(Ce,Nb)掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响.研究中发现在1350℃烧结条件下,掺入0.8mol﹪NbO的样品具有良好的综合电性能,显示出最低的压敏电压(V=7.22V/mm)、最高的非线性系数(α=5.76)以及较高的相对介电常数(ε=8.6×10)和室温下较低的介电损耗(tgδ=0.52),是一种具有较好潜力的新型电容-压敏陶瓷材料.样品电性能的变化主要是Nb对Ti的掺杂取
本文介绍了SnO掺杂对SrTiO环形压敏电阻性能的影响.电性能测试结果表明,在0.5—1.0mol﹪的掺杂范围内,随SnO的掺杂浓度增加,试样的E压敏电压从8.0V下降到4.0V,电容量从68μF增大到112μF,非线性系数α和介质损耗tgδ基本保持不变.试样的焊接变化率和高低温及温度循环试验特性均满足技术要求,但温度系数偏大.
由于三氧化二铋在氧化锌压敏中构成晶界相而具有非线形伏-安特性,氧化铋也是难以替代的掺杂材料,本文对ZnO-BiO体系相图,BiO的四种晶相性能分析,从氧化铋晶相角度了解烧结温度过程造成晶界电性能的差异机理.通过对纳米材料对比加入实验,研究表明:低熔点氧化铋粉末在烧结过程中有利于材料致密化烧结.
本文以试验为基础,对电火花铣削孔的工艺进行了研究.并对实验结果进行了理论上的分析,给出了合理的解释.研究表明:与传统电火花加工工艺相比,电火花铣削工艺在打孔方面占有一定的优势.