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本文采用蒙卡方法与器件模拟的有限体积法相结合的方法，在自主开发的二维半导体器件模拟程序GSS的基础上，加入粒子输运模块和辐射效应模拟模块，使之具备模拟半导体器件γ剂量率辐射效应的能力，实现了从粒子输运到器件辐射效应的一体化模拟。本文计算分析了N+P结与N+PP+结在100ns矩形γ射线脉冲辐照下的瞬态响应，并与实验数据和Enlow光电流理论模型进行了比对，结果符合较好。给出了N+PP+结构中光电流与剂量率的对应关系。该方法为器件γ剂量率辐射效应的模拟计算提供了一种新的途径。