【摘 要】
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氮化铝(AIN)是一种性能优良的宽能隙直接带隙结构Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合金基体上沉积AIN薄膜,利用X射线衍射(XRD)、
【机 构】
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华南理工大学材料科学与工程学院,广州510641;广州有色金属研究院,广州510651华南理工大学材料科学与工程学院,广州510641广州有色金属研究院,广州510651
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氮化铝(AIN)是一种性能优良的宽能隙直接带隙结构Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合金基体上沉积AIN薄膜,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、薄膜结合强度划痕试验仪等对薄膜结构及性能进行表征,着重研究了离子源对中频反应磁控溅射AIN薄膜结构和性能的影响.研究结果表明:离子源的辅助沉积有利于AIN相的合成,当离子源功率大于0.7kW时,AIN沿(100)晶面择优取向明显,当离子源功率为1.3kW时,所沉积膜层有向非晶化转变的趋势.同时,随着离子源功率的增加,所沉积的AIN薄膜致密度和膜/基结合力均显著提高,而膜层沉积速率和硬度则呈先上升后降低的规律。
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