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化学机械研磨(CMP)在半导体业IC制程上，扮演关键性角色，配合CMP制程检测要求，因其研磨垫上附着一层研磨液，无法采用非接触式光学量测，且环境变化大，所以发展出杠杆接触式雷射干涉量测探头，其解析度为0.16μm，量测范围至少5mm，此雷射干涉量测探头使用单频共轭光路设计，可消除干涉与直流漂移，利用45°入射角之变纵模输出之氦氖雷射光源使量测探头能适应温度急剧变化的环境，精确地量测出研磨垫之轮廓变化与表面粗糙度。经由与R.T.H表面粗度仪进行样品之经对测试，二者之量测差异小于0.15μm，符合了量测探地于研磨垫检测之需求。