目前,人们主要采用d区的多晶薄金属催化剂(例如,铜、镍、铂)来生长石墨烯。然而,这些金属基底晶畴小、晶界以及晶体缺陷较多,且需要严格控制石墨烯的生长过程,这严重限制均匀、高质量石墨烯的生长以及应用。我们发现低熔点液态p区元素具有较宽的熔程范围,其液态表面能够彻底消除基底表面的晶界与缺陷,以此来消除晶界对高质量石墨烯生长的影响。基于此,我们将极少量的液态p区金属催化剂(例如,镓、铟)置于高熔点支撑基底表面(例如,钨、钼),液态金属原子极佳的流动性能够形成稳定的液态表面,由于碳原子在液态表面的扩散速率高于固态表面,能够有效地避免剩余碳原子的堆积,从而能够生长均匀、高质量的石墨烯,其单晶迁移率可达7400cm2V-1s-1,并且支撑基底还能够重复利用,此种方法廉价、经济,所制备的石墨烯均匀性好,质量高。