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利用传统、简易的离子束溅射技术,在不同Si单晶衬底温度条件(650,700和750℃)下,自组织生长了一系列Ge/Si量子点材料。分别利用原子力显微的轻敲和导电接触模式,我们研究了Ge量子点的表面形貌、电流分布以及单量子点的电学性质。
离子束溅射法生长Ge/Si单量子点的电学性质研究
【摘 要】
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利用传统、简易的离子束溅射技术,在不同Si单晶衬底温度条件(650,700和750℃)下,自组织生长了一系列Ge/Si量子点材料。分别利用原子力显微的轻敲和导电接触模式,我们研究了Ge量子点的表面形貌、电流分布以及单量子点的电学性质。
【机 构】
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云南大学光电信息材料研究所,昆明650091;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海200083
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年7期
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