【摘 要】
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本文通过现有的"VAD+RIC"技术平台,采用VAD芯棒制备工艺,内包层采用含氟气体掺杂制备折射率下陷环,以提高光纤的抗弯曲性能;同时,优化光纤的芯包层中F和GeO2的掺杂浓度,实现
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本文通过现有的"VAD+RIC"技术平台,采用VAD芯棒制备工艺,内包层采用含氟气体掺杂制备折射率下陷环,以提高光纤的抗弯曲性能;同时,优化光纤的芯包层中F和GeO2的掺杂浓度,实现黏度匹配,降低芯层GeO2掺杂浓度,进一步降低光纤的衰减;采用RIC工艺将芯棒和套管在线组装,在不使用保温退火炉的情况下,成功制备出兼具低损耗和弯曲不敏感性能的单模光纤。本文同时还研究了表征光纤抗弯曲性能的MAC值与1550nm、1625nm宏弯损耗的一一对应指数关系,并确定低损耗弯曲不敏感单模光纤拉制时的MAC值控制范围。
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