【摘 要】
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原子层沉积（ALD）作为一种纳米制备技术,能在原子尺度精确控制薄膜的组成和厚度,已成为纳米技术的热点[1-3]。SiO2作为一种最重要的无机材料,已经广泛用于微电子、催化和能源等
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原子层沉积（ALD）作为一种纳米制备技术,能在原子尺度精确控制薄膜的组成和厚度,已成为纳米技术的热点[1-3]。SiO2作为一种最重要的无机材料,已经广泛用于微电子、催化和能源等领域。SiO2ALD生长可以通过热ALD和能量增强ALD实现,包括H2O基ALD、室温ALD（RT-ALD）、快速ALD（RALD）、O3基ALD以及等离子增强ALD（PEALD）。最近,SiO2ALD的生长机理以及相关的催化行为得到了广泛研究[4-9]。例如,SiO2RT-ALD中,Lewis碱可以催化Si-O键的生成,并在表面存在一种特殊的赝旋转现象,称为表面赝旋转（SurfacePseudorotation）。O3基ALD和PEALD中,氨基硅烷可以自催化Si-O键的生成。RALD中,Lewis/Br?nsted酸位点和界面相互作用可以协同催化SiO2的快速生长。这些SiO2ALD复杂的生长机理和相关的催化现象可以增加我们对ALD化学的理解以及用于Si前驱体的设计和其它氧化物ALD技术的改进。
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