硅烷氨气比对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jerklie198091
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利用PECVD在硅片上沉积SiNχ:H薄膜,研究SiH4 NH。流量比对SiNχ:H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪的测试结果表明,硅烷氨气流量比(SAR)在0.09~0.38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分,而且随着SAR的逐渐增加,Si的含量逐渐增加,折射率逐渐增大。微波光电导衰退(μ-PCD)的测试结果表明,Si含量适中(也即折射率适中)的薄膜,相比Si含量过低或过高的薄膜,呈现出更为稳定的钝化效果。
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