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该文通过MOD生产线上大批产品失效报废的原因分析,揭示了MOS电容C-V监控技术的一个重要机理,并说明了正确选择样品制备方法的重要性。尤其是对栅氧之后各工艺污染情况的监控必须正确的选择MOS电容中氧化层的制备条件,使外来的污染及时灵敏地在C-V测试中反映出来。这对大规模生产的工艺稳定提高成品率是十分重要的。