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Simulation of the Partial Resets in the Resistive Switching Characteristics of La1-xSrxMnO3 Thin Fil
【机 构】
:
Escolad'Enginyeria,Universitat Autònoma de Barcelona,Cerdanyola del Valles,Spain
【出 处】
:
The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际
【发表日期】
:
2016年4期
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