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随着CMOS器件的不断缩小,特别是进入亚0.35微米以后,将会面临从未有过挑战.要抑制日益严重的短沟道效应,解决性能要求与功耗的矛盾;寻找新的栅介质材料的需要也显得越来越迫切.本文叙述了85埃厚栅氧可靠性结果,并且结合器件结构的进展,探讨了一些有希望的解决方案.
深亚微米CMOS器件缩小所面临的课题
【摘 要】
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随着CMOS器件的不断缩小,特别是进入亚0.35微米以后,将会面临从未有过挑战.要抑制日益严重的短沟道效应,解决性能要求与功耗的矛盾;寻找新的栅介质材料的需要也显得越来越迫
【机 构】
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首钢日电电子有限公司
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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