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以金属有机鳌合物为源物质，采用低压等离子体化学气相淀积（PCVD）工艺，成功地生长了Y[*v2*]O[*v3*]稳定的ZrO[*v2*]氧离子导体薄膜。对薄膜的化学组成、结构以及电导性能进行了研究。（本刊录）
Y[*v2*]O[*v3*]稳定的ZrO[*v2*]薄膜的制备和电导研究
【摘 要】
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以金属有机鳌合物为源物质，采用低压等离子体化学气相淀积（PCVD）工艺，成功地生长了Y[*v2*]O[*v3*]稳定的ZrO[*v2*]氧离子导体薄膜。对薄膜的化学组成、结构以及电导性能进行了研
【机 构】
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中国科学技术大学
【出 处】
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第三届全国快离子导体学术讨论会
【发表日期】
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1986年期
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